Überschrift ISER
SAMOS-Speicher-Baustein-Entstehung im GießharzblockISER
Inv. Nr. I0250
ISER Objekt Nr. I0250
Klassifikation1.3.0;1.3.2.2
HerstellerIBM
Jahr1978
Größe-
EigentümerIMMD
StandortIL.R2.2.2
AusstellungsortVF.E3

Kurzbeschreibung Wafer mit 15 Millionen Speicherelementen, ein daraus gefertigter Chip und ein Speicher-Modul mit 4 Chips im Gießharzblock. Ein Chip kann 64 kBit speichern (RAM). Speicherelement ist eine 1-Transistor-Zelle in FET-Technik.
Bemerkungen Literatur: HS104.
Schlagworte Speicher-Baustein Gießharzblock IBM SAMOS Chip